钨合金靶材
钨钛合金主要用作形成半导体中阻挡层(barrier film)的溅射材料;钨硅合金用作形成半导体中门电极(gate-electrode)的溅射材料。靶材密度高可以减少溅射过程中沉积层颗粒的形成几率;细晶粒靶材可以确保形成平整的沉积表面。
沈阳太普泰克钨钼科技有限公司可以为客户提供高密度,具有均匀细晶粒结构的钨合金靶材。
Description |
Symbol |
Purity |
Density |
Grain Size (micron) |
Dimension (max/mm) |
Tungsten Silicon |
WSi10 |
4N5(99.995%) |
>99% |
<10 |
400*15 |
Tungsten Titanium |
WTi10 |
4N5(99.995%) |
>99% |
<10 |
400*15 |

