| ||
钨靶材纯度为3N5(99.95%)，主要用作溅射形成半导体中门电极（gate-electrode)材料。 |
| ||
钼靶材纯度为3N5(99.95%)，主要用作溅射形成半导体中门电极（gate-electrode)材料。 |
| ||
钨合金靶材主要有钨钛、钨硅两种合金靶材，纯度均为4N5(99.995%)。 |
| ||
多次EBM冶炼提纯有利于去除靶材中的杂质元素，提高靶材的化学纯度、交叉压力加工获得靶材基体各向均匀细小的晶粒结构。 |
| ||
多次EBM冶炼提纯有利于去除靶材中的杂质元素，提高靶材的化学纯度、交叉压力加工获得靶材基体各向均匀细小的晶粒结构。 |
