钨靶材
钨在主要用作形成半导体中门电极（gate-electrode)的溅射材料。靶材密度高可以减少溅射过程中沉积层颗粒的形成几率；细晶粒靶材可以确保形成平整的沉积表面。
沈阳太普泰克钨钼科技有限公司可以为客户提供高密度、细晶钨靶材：
Description |
Symbol |
Purity |
Density (g/cc) |
Grain Size (micron) |
Dimension (max/mm) |
Tungsten |
W |
3N5(99.95%) |
19.2 |
<15 |
400*15 |
