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金属材料在半导体技术中,特别是大规模集成电路(LSI)、光伏(PV)等领域均应用广泛,钨、钼、钽、铌等难熔金属由于具有高抗电迁移、优异的阻滞元素扩散性能,此类金属及其合金是半导体技术领域必需的靶材材料。

半导体大规模集成电路电晶体通道已步入现阶段的纳米制程,相应的晶圆中测Wafer Test or Chip Probing技术亦取得相应发展,如MEMS技术的应用。钨和钨铼合金由于具有高的强度、硬度和弹性模量,现阶段依然是探针的主要材料。

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